FCP600N60Z
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onsemi FCP600N60Z
| Artikelnummer: | FCP600N60Z |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $2.263 |
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| 5000+ | $1.1104 |
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- Versandinformationen
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-
onsemi FCP600N60Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FCP600N60Z.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie SuperFET® II Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.7A, 10V Verlustleistung (max) 89W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.4A (Tc) Grundproduktnummer FCP600 FCP600N60Z Einzelheiten PDF [English] FCP600N60Z PDF - EN.pdf -
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